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【摘 要】
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提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法.通过在MOS C-t曲线上读取n个不同时刻的电容值,计算出相应的产生寿命值,其精度随读取点的增加而提高,该方法也特别适合于
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系,浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2002年5期
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