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用深能级瞬态谱和高频电容－电压技术研究了固体Ｃ７０／Ｓｉ质结的界面电子态。研究结果表明在Ｃ７０／Ｓｉ的界面上明显存在三个电子陷阱Ｅｉｔ１（０．１９４）、Ｅｉｔ２（０．２６２），Ｅｉｔ３（０．４０７）和一个空穴陷阱Ｈｉｔ１（０．４７１），以及在Ｃ７０／Ｓｉ界面附近存在着固体Ｃ７０的电子和空穴陷阱引起的慢界面态。结果还表明Ｃ７０膜的生长温度对Ｃ７０／Ｓｉ的电学性质有重大影响。２００℃生长的Ｃ７０／Ｓｉ