InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

• 作 者: 王永生 周凤林
• 机 构: 南京邮电学院,南京邮电学院210003,210003
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 1991年4期
• 关键词: INGAASP/INP 异质结 界面 C-V测试

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s