【摘 要】
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目的：获得结晶好、连续均匀的 CuS 薄膜。方法采用电沉积方法制备 CuS 薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结
【基金项目】
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国家自然科学基金(51272140);山东省高校科技计划资助项目(J11LD10)~~
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目的：获得结晶好、连续均匀的 CuS 薄膜。方法采用电沉积方法制备 CuS 薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结果柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA 最差；硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积；铜硫离子比例为1时,施镀最合适。沉积电位为-0.8 V 时,薄膜的XRD 图谱中有氧化亚铜的衍射峰；当沉积电位在-0.9 V 时,生成了 Cu2 S 相；沉积电位在-0.9~-1.2 V时,生成了
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