【摘 要】
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通过建立通电线圈磁场的数学模型,采用FORTRAN语言自主编程,对磁控溅射靶附近由通电线圈产生的磁场分布进行了二维数值模拟计算。计算结果表明,当内、外线圈加反向电流,加大
【机 构】
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辽宁科技大学电子与信息学院,辽宁科技大学材料与冶金学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51172101 and 51372109)
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通过建立通电线圈磁场的数学模型,采用FORTRAN语言自主编程,对磁控溅射靶附近由通电线圈产生的磁场分布进行了二维数值模拟计算。计算结果表明,当内、外线圈加反向电流,加大内或外线圈电流,可使线圈产生的磁场非平衡度增加。通过调节内、外线圈电流,控制磁场分布,而增加内或外线圈电流则可使真空腔内磁场强度分布更加均匀,从而控制了等离子体密度及能量分布,使等离子体在真空腔内分布均匀化。另外,这种外加的电磁场还会使磁控装置本体磁场增强,对磁控溅射产生的等离子体起到增强作用。此结果为磁控溅射装置上磁场配置提供重要参考依据。
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