【摘 要】
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为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压
【机 构】
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电子科技大学微电子与固体电子学院,北京京东方光电科技股份有限公司,电子科技大学微电子与固体电子学院,北京京东方光电科技股份有限公司 成都610054,北京100176,成都610054,北京10017
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为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。
In order to simplify the manufacturing process of liquid crystal panel, this paper preliminary studied on the glass substrate 1.1m × 1.3m, the use of Cl2 / O2 gas in the thin film transistor channel metal molybdenum reactive ion etching. After a series of orthogonal experiments, the influence of the parameters of power, pressure and gas ratio on the etching rate, uniformity and selection ratio were analyzed. The SEM images after etching and the power parameters Film electrical characteristics curve. The results show that the gas pressure in this experiment is the most influential factor; in addition, the higher the power will make the selectivity of molybdenum worse than the lower.
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