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<正> 6 多晶硅压力传感器 近些年来,随着多晶硅薄膜地深入研究,以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器,其优越性已被广大研究者和生产部门所认可。 ①具有较大的压阻效应,最大值可达单晶硅的70％;并呈良好的线性。
多晶硅敏感技术（连载五）
【摘 要】
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<正> 6 多晶硅压力传感器 近些年来,随着多晶硅薄膜地深入研究,以在绝缘层上生长多晶硅薄膜(SOI)制作应变电阻器为敏感元件的压力传感器,其优越性已被广大研究者和生产部门所
【机 构】
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电子工业部第49研究所
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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1994年5期
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