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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。
减小硅外延自掺杂的一种新方法
【摘 要】
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本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1990年1期
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