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利用气相沉积法，在低氧气氛下制备高缺陷的ZnO晶体。分别将样品在800℃、900℃、1000℃下通氧退火1h，对ZnO晶体做表面修饰。PL光谱实验和光催化降解亚甲基蓝实验表明ZnO晶体的氧空位、表面态和光催化活性间存在内在联系。1000℃下退火的样品表面缺陷程度多于800℃和900℃下退火样品，光催化活性也优于后两者。