【摘 要】
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加里福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究人员制造出初级m面增强型AlGaN/GaN FETs。这些常断型FET的阈值电压为2V,这就使得该器件将成为要求阈值电压至少3V的开关应用的主要候选器
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加里福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究人员制造出初级m面增强型AlGaN/GaN FETs。这些常断型FET的阈值电压为2V,这就使得该器件将成为要求阈值电压至少3V的开关应用的主要候选器件。相比而言,三菱电气的增强型a面FET的阈值电压为1.3V,而采用AlGaN薄势垒层、凹栅和pn结栅的常规c面FE
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