【摘 要】
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以SrRuO3（SRO）为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3（LAO）单晶基片上制备了Pb（Zr0.65Ti0.35）O3（PZT）薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系：（001）[010]PZT‖（001）[0
【机 构】
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西南科技大学四川省非金属复合与功能材料重点实验室·,省部共建国家重点实验室培育基地
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以SrRuO3（SRO）为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3（LAO）单晶基片上制备了Pb（Zr0.65Ti0.35）O3（PZT）薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系：（001）[010]PZT‖（001）[010]SRO‖（001）[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容
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