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为了探究生长温度对外延ZnO纳米结构的影响，得到ZnO纳米结构可控生长的生长温度条件。利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，设计并获得了不同生长温度的ZnO外延样品，并对所有样品进行了表面形貌、光学特性、电学特性表征和结晶质量表征。实验结果表明：600℃生长的ZnO纳米柱横向尺寸最小，为65 nm左右，其光学特性也相对较好，晶体衍射峰的半峰宽最小，为0.165°，晶粒尺寸最大，为47.6 nm；电学性质相对最优的为640℃生长的ZnO样品，霍尔迁移率高达23.5 cm 2/(V·