【摘 要】
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薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时,衬底温度一般在100—400℃范围内,控温精度为±5℃左右。在通常的使用环境中,这是不难实现的。但对等离子体淀积
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薄膜的生长质量与衬底温度有很大关系。等离子体淀积薄膜时,衬底温度一般在100—400℃范围内,控温精度为±5℃左右。在通常的使用环境中,这是不难实现的。但对等离子体淀积设备而言,测温对象处于十几兆赫(典型频率为13.56MHz)的射频环境中,对温度传感器、控制器有很强的电磁辐射干扰。我们在研制这种使用环境下的温度控制器方面进行了一些探索,本文报道这方面的工作。
The quality of the growth of the film is strongly related to the substrate temperature. Plasma deposited film, the substrate temperature is generally in the range of 100-400 ℃, temperature control accuracy of ± 5 ℃ or so. In the usual environment, this is not difficult to achieve. However, for plasma deposition equipment, the temperature measurement object is in a radio frequency environment of more than ten megahertz (the typical frequency is 13.56 MHz), and has strong electromagnetic radiation interference to the temperature sensor and the controller. We have done some research on the temperature controller in this environment of use. This article covers the work in this area.
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