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SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势，并对研究方法和结果进行了简要的评述。
SiC薄膜材料理论模拟研究的动态
【摘 要】
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SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料的理论研究现状和发
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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真空与低温
【发表日期】
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2010年1期
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