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镍 electroplating 过程借助于电气化学的噪音被调查(在) ,与扫描电子显微镜学(SEM ) 一起的循环伏安法技术。结果证明处于试验性的条件并且随电流密度的增加,镍雏晶的生长机制从 2-D 改变到 第3-Dwi 潜在的拐弯处点关于 -1.15 V ,并且为整体镍 electroplating 进程的散开控制的发作的潜力关于 -1.4 V 。在情况ofactivation控制,二维( 2-D )镍的成核/生长过程经常在仅仅慢慢地小的积极潜在的飘移和相应紧缩的 layer-by-layer 存