用CVD法合成高T_cNb_3Ge实用超导体的基体温度理论研究

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Nb_3Ge的临界温度Tc最高(23.2K),它具有三高(高Tc、Jc、Hc_2)一低(低损耗)的优良特性。广为世界各国探索高临界温度超导工作者的研究中心课题,其中化学气相沉积法(简称CVD法)研究最为广泛,至今尚未看到有Nb_3Ge实用长带制备成功的报道,而炽热基体温度是合成Nb_3Ge实用带的关键,因此,笔者从化学热力学的角度进行了探讨。本文是在Wan等进行过Nb-Ge-H-Cl体系的平衡CVD相图所提供的热力学数据的基楚上,探讨在总压为 The critical temperature Tc of Nb_3Ge is the highest (23.2K), which has the characteristics of three high (high Tc, Jc, Hc_2) and low (low loss). Wide range of countries around the world to explore high temperature superconducting workers research center topics, including chemical vapor deposition (referred to as CVD) the most widely studied, has yet to see the preparation of Nb_3Ge practical long ribbon reported successful, and hot substrate temperature is The key to synthesis of practical Nb_3Ge tape, therefore, the author from the perspective of chemical thermodynamics were discussed. This article is based on the thermodynamic data provided by Wan et al. For the balanced CVD phase diagram of Nb-Ge-H-Cl system.
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