【摘 要】
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同轴Ge(Li)二极管的被蒸发面是圆柱形样品的整个圆周面和一个端面。如果用单源蒸发,样品必须旋转。这样,样品固定困难,安全性差,而且增加了传动机构的复杂性。为此决定将单
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同轴Ge(Li)二极管的被蒸发面是圆柱形样品的整个圆周面和一个端面。如果用单源蒸发,样品必须旋转。这样,样品固定困难,安全性差,而且增加了传动机构的复杂性。为此决定将单源蒸发改为多源蒸发,采用六只螺旋形钨丝(或钼丝)坩埚均匀地分布在φ280mm的圆周上,其高度和连接方式可调节。
The evaporated surface of a coaxial Ge (Li) diode is the entire circumferential surface and an end surface of a cylindrical sample. The sample must be rotated if it is evaporated with a single source. In this way, the sample is difficult to fix, less safe, and adds to the complexity of the transmission. To this end decided to single source evaporation to multi-source evaporation, the use of six spiral tungsten wire (or molybdenum wire) crucible uniformly distributed in the φ280mm circumference, the height and connection can be adjusted.
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