微机械悬桥法研究氮化硅薄膜力学性能

• 作 者: 宗登刚 王钻开 陆德仁 王聪和 陈刚
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,香港理工大学应用物理系,中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2003年02期
• 关键词: 微机械 悬桥 LPCVD 氮化硅 杨氏模量 残余应力 弯曲强度

利用高精密纳米压入仪检测微机械悬桥的载荷-挠度曲线,来研究低应力LPCVD氮化硅薄膜的力学特性。通过大挠度理论分析,得到考虑了衬底变形对挠度有贡献的微桥挠度解析表达式。对于在加卸载过程中表现出完全弹性的微桥,利用最小二乘法对其挠度进行了拟合,从而得到杨氏模量、残余应力和弯曲强度等力学特性参数。低应力LPCVD氮化硅薄膜的研究结果:杨氏模量为(308.4±24.1)GPa,残余应力为(252.9±32.4)MPa,弯曲强度为(6.2±1.3)GPa。