【摘 要】
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高辐射发光二极管(LED)以其低成本、宽的工作温度范围和突出的可靠性胜过在功率和调制方面占优势的注入激光二极管而被用于光通信中。发光二极管的研制活动和商用化己迅速地
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高辐射发光二极管(LED)以其低成本、宽的工作温度范围和突出的可靠性胜过在功率和调制方面占优势的注入激光二极管而被用于光通信中。发光二极管的研制活动和商用化己迅速地移向InGaAsP发光二极管,以利用其在1.3μm发射波长时的低损耗和最小色散。本文评述了InGaAsP发光二极管的特性、可靠性和系统应用的最新进展。
High-emitting light-emitting diodes (LEDs) are used in optical communications for their low cost, wide operating temperature range and outstanding reliability over injected laser diodes that predominate in power and modulation. Light emitting diode development and commercialization has rapidly moved to InGaAsP light-emitting diodes to take advantage of its 1.3μm emission wavelength low loss and minimum dispersion. This article reviews the recent advances in the characterization, reliability, and system applications of InGaAsP LEDs.
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