MOCVD法制备Ir／C簇膜的成分与结构研究

• 作 者: 戴姣燕 胡昌义 万吉高 方颖 欧阳远良 高文桂 刘伟平 杨家
• 机 构: 中南大学,昆明贵金属研究所,昆明冶金研究院
• 出 处: 贵金属
• 发表日期: 2006年1期
• 关键词: 低维金属材料 Ir/C簇膜 成分 结构 金属有机化合物化学气相沉积 Low dimension metal materials Iridium-carbon c
• 基金项目: 国家自然科学基金（50171031）,云南省人才培训计划（2003PY10）和云南省自然科学基金（2004E0064M）资助项目.

以乙酰丙酮铱为前驱体，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术在石英片上沉积了Ir／C簇膜。研究了氧气流量及沉积温度对Ir／C簇膜成分和结构的影响。研究发现，少量氧气的加入（4mL／min）大幅度地降低了Ir／C簇膜中碳元素的含量；沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂：未通氧气的情况下，在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大，而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势。大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰，使其具有非晶衍射的特征。当沉积温度为650℃，未通氧气沉积的Ir／C簇膜中铱