高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

• 作 者: 崔潆心 徐明升 徐现刚 胡小波
• 机 构: 山东大学晶体材料国家重点实验室
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2015年10期
• 关键词: 氮化镓薄膜 高分辨X射线衍射 位错密度 Ga N film high resolution X-ray diffraction dislocation de

利用高分辨X射线衍射方法,分析了在4H-Si C（0001）面上采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长的Ga N薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得Ga N薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×10^7 cm^-2和5.20×10^9 cm^-2,总位错密度为5.25×10^9 cm^-2。