【摘 要】
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<正> 光电集成的发展希望在硅基材料上获得有效的光发射。硅是间接带材料,带间跃迁的发光效率很低。三价稀土离子Er~(3+)在1.54μm的发射是标准的光通讯波长。用Er来掺杂Si是
【基金项目】
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国家自然科学基金项目编号:69287010
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<正> 光电集成的发展希望在硅基材料上获得有效的光发射。硅是间接带材料,带间跃迁的发光效率很低。三价稀土离子Er~(3+)在1.54μm的发射是标准的光通讯波长。用Er来掺杂Si是解决这一困难的可能途径之一。本研究用离子注入方法在Si及多孔硅中掺入Er,退火后在77K获得Er~(3+)的1.54μm发光,研究了发光特性及氧杂质的影响。 1.退火过程中晶体损伤恢复和Er剖面分布~[1,2] 沟道背散射分析表明Er离子注入后,通常在样品表面形成薄的非晶层,退火时非晶层以固相外延的方式再结晶并逐步向
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