分子束外延生长GexSi1—x的原位俄歇定量分析

• 作 者: 卫星 周铁城
• 机 构: 复旦大学表面物理实验室,复旦大学表面物理实验室上海,200433,上海,200433
• 出 处: 红外与毫米波学报
• 发表日期: 1992年2期
• 关键词: 分子束外延 俄歇电子谱 硅化锗 molecular beam epitaxy Auger electron spectroscopy atomic sens
• 基金项目: 国家自然科学基金

通过分子束外延生长不同组分的Ge_xSi_(1-x)标样,测量其俄歇谱(dN/dE～E),得到了在指定的实验条件下Ge(LMM)和Si(KLL)幅度之比与Ge组分x的关系,与只用纯Ge和纯Si原子灵敏度因子之比计算结果差别很小.证明俄歇电子谱是组分x原位测量的有效手段,相对误差在10%以内.讨论了Ge的偏析现象,在x>0的情况下Ge偏析不致于影响上述测量方法的准确性.