Ti3SiC2的生长机制

• 作 者: 张俊才 史延田
• 机 构: 黑龙江科技学院材料科学与工程学院,黑龙江省建筑材料工业规划设计研究院
• 出 处: 黑龙江科技学院学报
• 发表日期: 2013年1期
• 关键词: TI3SIC2 真空烧结 生长机制 Ti3 SiC2 vacuum sintering growth mechanism

为探讨Ti3SiC2的生长机制，以Ti、Si、C元素粉末为原料，采用三种不同的真空烧结工艺，制备体积分数为89．12％、85．90％及93．01％的Ti3SiC2材料，并利用XRD和SEM对其进行组织结构分析。结果表明：Ti3SiC2晶体生长为台阶机制，在母层片的法线方向不受约束的情况下形成梯田形貌；在生长母层面的法线方向受到约束的情况下，Ti3SiC2的生长台阶被逐渐填满，形成晶型较完整的Ti3SiC2；在以Ti、Si、C粉末为原料制备Ti，SiC2时，在略高于1300℃的温度进行长时间保温是有利的。