【摘 要】
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Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样.为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究.分别研究了存储阵
【机 构】
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清华大学工程物理系 北京100084西北核技术研究所 西安710024;清华大学工程物理系 北京100084;西北核技术研究所 西安710024;深圳市国微电子股份有限公司 深圳518057;
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Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样.为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究.分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析.辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效.微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考.
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