【摘 要】
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采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元素含量的方法研究了作为掺杂剂的Fe浓度分布
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;中国电子科技南湖研究院,浙江嘉兴314051
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采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元素含量的方法研究了作为掺杂剂的Fe浓度分布和含量较高的B、Cu和Zn杂质对晶体质量的影响.结果 表明,Fe浓度在径向上呈现“W”形分布,整体上中心低、边缘高,但在中心附近微小增高;在轴向上呈现从晶体头部到尾部浓度逐渐增加的趋势;经GDMS全元素检测发现,在晶体头部的中心,B、Cu和Zn等杂质的浓度高.通过分析得出,Fe浓度在径向和轴向上的分布受杂质分凝、固液界面形状和局部微观扩散等因素影响;B、Cu和Zn等杂质主要来源液封剂B2O3和石墨系统沾污等,并且由于这些杂质的引入,导致晶体内容易产生难熔的In氧化物,在晶体内形成夹杂物的缺陷.
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