CVD掺硅金刚石残余应力的X射线衍射和拉曼光谱分析（英文）

• 作 者: 陈苏琳 沈彬 张建国 王亮 孙方宏
• 机 构: 上海交通大学机械与动力工程学院
• 出 处: 中国有色金属学报：英文版
• 发表日期: 2012年12期
• 关键词: 掺硅金刚石薄膜 硅掺杂 残余应力 X射线衍射 拉曼光谱 silicon-doped diamond films silicon doping residua
• 基金项目: Project （51005154） supported by the National Natural Science Foundation of China, Project （12CG11） supported by the Chenguang Program of Shanghai Municipal Education Commission, China, Project （201104

采用X射线衍射（XRD）和拉曼光谱2种方法测量了不同硅碳比的CVD掺硅金刚石薄膜的残余应力。采用偏压增强热丝化学气相沉积装置在硬质合金基底上制备了掺硅金刚石薄膜,将正硅酸乙酯以不同的体积比溶解在丙酮中以使得反应气体中的硅碳比从0.1%变化到1.4%,从而控制掺硅金刚石薄膜的掺杂浓度。SEM和XRD的表征结果显示,随着硅掺杂浓度的增加,金刚石薄膜的晶粒尺寸减小,而金刚石（110）的晶面则逐渐占优。XRD法是测量入射角从0°到45°变化时对应的金刚石（220）面XRD衍射峰,并采用sin2