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介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片,经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计,有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影响,并提高了Z轴的灵敏度。通过差分电容的设计,理论上消除了交叉轴干扰。通过仿真得到了该加速度计在3个轴向上的灵敏度及抗冲击能力。结合理论分析和ANSYS仿真结果,可以得出结论:所设计的加速度计拥有较低的交叉轴干扰、较高的灵敏度以及较强的抗冲击能力,在惯性传感器领域有一定的应用前景。