低温生长SiO2膜的性质及其在SiGe／Si HBT研制中的应用

• 作 者: 徐晨 邹德恕
• 机 构: 北京工业大学电子工程学系,100022,北京市光电子技术实验室
• 出 处: 北京工业大学学报
• 发表日期: 1999年4期
• 关键词: 磁控溅射 SIGE/SI HBT 低温生长 二氧化硅膜 SiO_2 sputtering SiGe HBT
• 基金项目: 国家“863”计划资助!863－307－15－4（06）,,国家自然科学基金!69876004,,北京市科委高技术重点项目,,北京市自然科学基金!4962005

用磁控溅射ＳiＯ２膜作为台面ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的表面保护纯化膜和光刻掩膜，测试分析了溅射工艺对ＳｉＯ２膜的性质和ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ性能的影响。研究发现，较高的衬底温度（２００℃）有得于改善ＳｉＯ２膜的质量。用溅射ＳｉＯ２方法制备的ＨＢＴ的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积ＳiＯ２制备的ＨＢＴ。这说明溅射法 避免了高温引起ＳｉＧｅ制备的ＨＢＴ，这说明溅射法避免了高温引起ＳｉＧｅ层就驰豫所