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本文导出了本征光电导体的低频响应率与阻挡接触结构相关的分析表达式。8～12μm碲镉汞(HgCdTe)光导探测器的数值计算结果表明:最佳的阻挡接触结构由金属-半导体界面处的载流子复合速率决定。
本征碲镉汞光电导体中响应率对阻挡接触结构的依赖关系
【摘 要】
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本文导出了本征光电导体的低频响应率与阻挡接触结构相关的分析表达式。8～12μm碲镉汞(HgCdTe)光导探测器的数值计算结果表明:最佳的阻挡接触结构由金属-半导体界面处的载流子
【出 处】
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红外与激光技术
【发表日期】
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1992年3期
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