热壁外延生长GaAs／Si薄膜质量研究

• 作 者: 谭红琳 张鹏翔 刘翔 吴长树
• 机 构: 昆明理工大学材料与冶金学院材料系
• 出 处: 光电子．激光
• 发表日期: 2001年3期
• 关键词: 薄膜 热壁 外延生长 砷化镓 硅 Raman spectraphotoluminescense (PL) spectra full-width at half-
• 基金项目: 云南省应用基础研究项目

本文研究了用热壁外延(HWE)技术在Si衬底上不同工艺下生长的GaAs薄膜的拉曼(Raman)和荧光(PL)光谱。研究表明：在室温下，GaAs晶膜的Raman光谱的265cm－1横声子(TO)峰和289cm－1纵声子(LO)峰的峰值之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、半高宽(FWHM)变窄且峰值频移移动变小，而PL光谱出现在871nm光谱的FWHM较窄，表明所测得的薄膜为单晶晶膜。对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和PL光谱相结合评定外延膜晶体质量。