MOVPE生产用高纯水中硅的去除

• 作 者: 闻瑞梅 徐志彪 孟广祯 吴坚
• 机 构: 同济大学,华南理工大学,北京格兰特膜分离设备有限公司
• 出 处: 电子学报
• 发表日期: 2003年5期
• 关键词: 有机金属气相淀积 硅 连续电脱盐 超大规模集成电路 Semiconducting gallium arsenide Silica Silicon ULSI ci

本文介绍了硅对砷化镓材料生长及有机金属化合物气相淀积(MOVPE)工艺中的影响和电脱盐(EDI)技术以及用EDI降低高纯水中硅浓度的机理和方法,通过大量实验比较不同制水设备脱硅效果,得出用EDI技术严格控制pH(8～11)时脱硅效果最好,能使高纯水中Si的浓度＜0.5μg/L,满足了MO源生产及MOVPE工艺用水中Si浓度<3μg/L的需要.