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利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学性质、组份、结构与工艺条件的关系进行了讨论。
Culnse2薄膜特性研究
【摘 要】
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利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备CIS薄膜。对制备的CIS薄膜的光学性质、电学
【机 构】
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内蒙古大学半导体能源实验室,内蒙古大学半导体能源实验室,内蒙古大学半导体能源实验室88届研究生内蒙古电业管理局中试所
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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1991年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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