【摘 要】
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采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响。X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜
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采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响。X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大。1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm^2/V.s和1.19×10^19cm^-3。用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm^-3,在红外区（1.5-5.5μm）的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流
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