4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

• 作 者: 柏松 韩春林 陈刚
• 机 构: 南京电子器件研究所
• 出 处: 电子工业专用设备
• 发表日期: 2005年11期
• 关键词: 4H-SIC MESFET 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒 4H-SiC MESFET Reactive ion etching Sacrificia

对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重.选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤.工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1.制成的4H-SiC MESFET 直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350 mA/mm.