【摘 要】
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用MOCVD法在绝缘衬底上生长了多晶GaAs膜。这种膜表面平坦光亮,结构细密,晶粒均匀,具有GaAs化学计量。用连续氩离子激光扫描,多晶GaAs将发生再结晶,晶粒可从200(?)增至40μm,
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系
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用MOCVD法在绝缘衬底上生长了多晶GaAs膜。这种膜表面平坦光亮,结构细密,晶粒均匀,具有GaAs化学计量。用连续氩离子激光扫描,多晶GaAs将发生再结晶,晶粒可从200(?)增至40μm,再结晶后仍保持原来的化学计量。在再结晶层上制出了肖特基势垒二极管。
A polycrystalline GaAs film was grown on an insulating substrate by MOCVD. The film surface is flat and bright, fine structure, uniform grain, with GaAs stoichiometry. With continuous argon ion laser scanning, the polycrystalline GaAs will recrystallize, the grain size can be increased from 200 (?) To 40? M and the original stoichiometry remains after recrystallization. Schottky barrier diodes were fabricated on the recrystallized layer.
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