【摘 要】
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利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电子声子、电子杂质和电子缺陷等相互作用导致
【机 构】
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清华大学物理系原子与分子纳米科学重点实验室,清华大学物理系原子与分子纳米科学重点实验室 北京100084烟台大学物理系,烟台264005,北京100084
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利用对双势垒器件非平衡态电子输运性质的含时动力学模拟计算,分析了弛豫时间对这类低维器件电子输运特性的影响.结果表明,由于电子声子、电子杂质和电子缺陷等相互作用导致的弛豫时间对器件IV曲线产生很大的影响,即电流滞后类平台结构的倾斜度以及电流滞后区的宽度.
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