金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究(英文)

• 作 者: 张建新 刘玉岭 檀柏梅 牛新环 边永超 高宝红 黄妍妍
• 机 构: 河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所,河北工业大学微电子研究所 天津300130,
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2008年03期
• 关键词: 化学清洗 金刚石膜 有机沾污 硅片表面清洗 膜电极 强氧化剂 微粗糙度 金刚石 清洗工艺 化学方式

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O84-),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.

Electrochemical method using diamond membrane electrode in a special water-based cleaning agents continue to produce a strong oxidant peroxypolyphosphate ions (P2O84-), and this approach as a diamond membrane electrochemical cleaning process steps for oxidation Organic contamination on the surface of the silicon wafer was removed.According to the comparative experiments with the RCA cleaning and the X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscope, the results show that the surface of the silicon wafer after the cleaning process has less organic carbon content, Micro-roughness is small, significantly better than the existing RCA cleaning process.