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用质子激发X荧光分析和扫描电子显微镜与切片技术相结合对能量为200keV的钒离子注入花生后的浓度－深度分布进行了测定，注入量为9×10^16/cm62。结果显示，钒离子注入花生后的浓度－深度分布与郭了注入金属、半导体中的分布有明显的差异；离子的射程歧离很大，少数离子的射程延伸到很深的区域。这种分布特征可能与植物种子具有疏松的结构有关。