色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响

• 作 者: 白一鸣 陈诺夫 戴瑞炬 王鹏 彭长涛
• 机 构: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院力学研究所国家微重力实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2006年4期
• 关键词: 色散效应 加权平均反射率 双层减反射膜 GAAS太阳电池 dispersion effect weighted reflectance double-layer
• 基金项目: 国家自然科学基金（批准号：60176001）和国家重大基础研究发展规划（批准号：2002CB311905）资助项目

考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应，采用光学干涉矩阵法计算了SiO2／ZnSe和SiO2／ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线，以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线，并与未考虑色散效应的情况进行了对比．计算结果表明，色散效应对双层减反射膜的反射率有较大的影响，特别是对300-500nm波长范围的影响更大，且对不同材料的减反射膜的影响也是不同的．与未考虑色散效应的情况相比，考虑色散效应后，SiO2／ZnSe双层减反射膜的最小加权平均反射率从1．14％增加到