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利用平面磁控反应溅射在具有透明导电膜的玻璃基片上沉积氧化钨膜层。Ｘ射线衍射分析结果表明，基片在室温状态下得到的膜呈非晶态。以０．２Ｎ浓度的ＨＣｌ为电解液，用电化学方法研究了Ｈ注入及抽出后氧化钨膜光学性能的变化及这种变化与膜的制备参数之间的关系。获得了沉积氧化钨近于最佳的工艺条件，在纯氧气氛下，溅射功率密度１．２Ｗ／ｃｍ＾２，溅射气体压强１．４３Ｐａ时，制备的非晶态氧化钨膜，在５０民化学循环后，漂白