多靶磁控共溅射纳米Ta—Al—N薄膜的阻挡性能研究

• 作 者: 李幼真 周继承 陈海波 刘正
• 机 构: 中南大学物理科学与技术学院
• 出 处: 固体电子学研究与进展
• 发表日期: 2008年3期
• 关键词: 钽铝氮薄膜 热退火 表面形貌 阻挡特性 Ta-Al-N thin-films furnace annealing （FA） surface morpholo

采用磁控反应共溅射方法制备了纳米Ta—Al-N薄膜，并原位制备了Cu／Ta—Al-N薄膜，对薄膜进行了热处理。用四探针测试仪、X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）以及台阶仪等研究了退火对薄膜结构及阻挡性能的影响。结果表明，Ta—Al—N薄膜具有优良的热稳定性，保持非晶态且能对Cu有效阻挡的温度可达800℃；同时发现在900℃退火5min后，薄膜开始晶化，在Cu／Ta—Al-N／Si界面处生成了Cu3Si等相，表明此时Ta—Al—N薄膜阻挡层开始失效。