【摘 要】
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本文介绍了应用混合物理化学气相沉积(HPCVD)制备MgB_2薄膜技术,以B膜作为势垒层在单晶Al_2O_3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB_2/B/MgB_2多层膜.采用扫描电子显微镜(
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,中国科学院微电子研究所,贵州民族大学化学与环境科学学院,
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本文介绍了应用混合物理化学气相沉积(HPCVD)制备MgB_2薄膜技术,以B膜作为势垒层在单晶Al_2O_3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB_2/B/MgB_2多层膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和标准四线法对获得的MgB_2/B/MgB_2多层膜断面结构、超导薄膜晶体结构及超导特性进行了测量研究.实验结果表明,制备的MgB_2/B/MgB_2多层膜结构清晰,底层和顶层超导薄膜显示出良好的超导特性.
In this paper, the MgB_2 thin film technology prepared by hybrid chemical vapor deposition (HPCVD) is introduced, and a longitudinal sandwich sandwich MgB_2 / B / MgB_2 multilayer film is fabricated on a single crystal Al_2O_3 (0001) substrate by using B film as a barrier layer. Microstructure, superconducting properties and microstructures of MgB_2 / B / MgB_2 multilayer films were characterized by SEM, AFM, The experimental results show that the prepared MgB 2 / B / MgB 2 multilayers have a clear structure and the superconducting films on the bottom and top show good superconducting properties.
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