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通过红外射谱、拉曼散射谱和Ｘ射线衍射谱的测量，研究了反应溅射制备的氢化非晶硅碳膜（ＳＰ－ａ－ＳｉＣ：Ｈ）高温退火处理后的结构变化，发现在等时退火的情况下，退火温度对薄膜结构影响明显，Ｈ原子的逸出与键合有关，Ｈ从ＣＨｎ中逸出要比从ＳｉＨ。键中逸出需要更高的温度，样品经８００℃退火后，ａ－ＳｉＣ：Ｈ膜转化为μｃ－ＳｉＣ膜。