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本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C~2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和硅离子注入后多晶硅薄膜的晶粒组成结构是密切相关的。
用深能级瞬态谱方法研究多晶硅薄膜的晶粒界面态
【摘 要】
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本文发展了一个改进的深能级瞬态谱方法——C~2DLTS方法,并将该方法应用于硅离于注入再结晶法处理的多晶硅薄膜的晶粒界面态的研究。实验结果表明:多晶硅薄膜的晶粒界面态和
【机 构】
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复旦大学,日本庆应义塾大学上海,上海
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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1991年5期
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