Ni-Mo合金电沉积层的X-射线光电子能谱研究

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利用X-射线光电子能谱对Ni-Mo沉积层表层中Ni、Mo的存在形式进行了分析,并对其表面进行了Ar+离子刻蚀深度分析。结果表明:Ar+离子未溅射时,沉积层中的Ni和Mo分别以Ni(OH)2和MoO3(或MoO2-4)形式存在:Ar+离子溅射3min后,沉积层中的Ni和Mo分别以NiO和MoO2形式存在;Ar+离子溅射15min后,沉积层中的Ni和Mo分别以单质Ni和单质Mo形式存在 The forms of Ni and Mo in the surface layer of Ni-Mo deposit were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy, and the depth of the surface was analyzed by Ar + ion etching. The results show that Ni and Mo in the deposited layer are present in the form of Ni (OH) 2 and MoO3 (or MoO2-4) respectively when the Ar + ions are not sputtered: Ni and Mo in the deposited layer after Ar + ion sputtering for 3min NiO and MoO2 form; Ar + ion sputtering for 15min, the Ni and Mo in the deposited layer are present in the form of elemental Ni and elemental Mo, respectively
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