【摘 要】
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报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构,在脉冲宽度小于500ns,重复频率
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,河北工业大学,
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报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构,在脉冲宽度小于500ns,重复频率小于8kHz工作条件下,其输出光功率斜率效率达到1.7W/A,是标准单芯片的1.7倍。采用塑封结构,克服了金属封装玻璃光窗在受冲击时易碎的弱点,其抗冲击达到20kg以上,且封装成本低廉。
A new type of plastic encapsulated tunnel junction diode laser is reported. Tunnel junction tandem laser materials were grown by MOCVD. The laser chip is a standard wide emitter structure. The plastic structure, the pulse width of less than 500ns, repetition frequency less than 8kHz operating conditions, the output optical power slope efficiency of 1.7W / A, is 1.7 times the standard single-chip. The plastic encapsulation structure overcomes the weakness of the metal encapsulated glass light window when it is impacted by impact, and the impact resistance reaches over 20kg, and the packaging cost is low.
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