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研究ＬａＦｅＯ３及微量掺铜ＬａＦｅＯ３的光催化活性，利用正电子湮没谱分析掺杂的影响，发现随着掺杂百分比的增加，正电子奉命逐渐下降达到一最小值，然后又上升；而光催化活性随掺杂百分比的增加逐渐上升达到最大值，然后下降，结果表明：ＬａＦｅＯ３掺杂后光催化活性得以提高；正电子湮没技术是研究点阵缺陷结构的有效方法之一。