Y掺杂Si纳米线的光致发光特性

• 作 者: 张津豪 刘绰 李婉 郝肖 吴一 范志东 刘磊 马蕾
• 机 构: 河北大学电子信息工程学院,河北大学河北省数字医疗工程重点实验室,清华大学微电子学院
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2017年5期
• 关键词: SI纳米线 Y掺杂 光致发光 结构特性 Si naowires Y doped Photoluminescence Structural properties

以n型单晶Si（111）为衬底,利用Au作为催化剂,在温度、N2流量和生长时间分别为1 100℃,1.5L·min-1和60min的条件下,基于固-液-固生长机制,生长了直径为6080nm、长度为数十微米的高密度Si纳米线。随后,以Y2O3粉末为掺杂源,采用高温扩散方法对Si纳米线进行了钇（Y）掺杂。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和荧光分光光度计对不同掺杂温度（9001 200℃）、掺杂时间（1560min）和N2流量（0400sccm）等工艺条件下制备的Y掺杂Si纳米线的形貌、成分、结晶取向