【摘 要】
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本文讨论分析了半导体超晶格的椭偏光学性质,首次采用多入射角椭圆偏振光学方法研究了半导体超晶格结构,实验测量给出了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格各子层的厚度、复折射率和组份
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系 南京 210008,南京 210008,南京 210008
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本文讨论分析了半导体超晶格的椭偏光学性质,首次采用多入射角椭圆偏振光学方法研究了半导体超晶格结构,实验测量给出了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格各子层的厚度、复折射率和组份等基本结构参量。本方法测量简便,重复性好,对样品无破坏作用,可作为半导体超晶格结构的一种有效的表征手段。
In this paper, we analyze and analyze the optical properties of semiconductor superlattices. We first study the superlattice structure of semiconductors by using multiple angle of incidence ellipsometry. The experimental measurements show that each sublayer of Ge_xSi_ (1-x) / Si superlattices Thickness, complex refractive index and composition of the basic structural parameters. The method has the advantages of simple measurement, good repeatability and no damage to the sample, and can be used as an effective characterization method of the semiconductor superlattice structure.
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